[发明专利]基于硅工艺的三维结构TM010-λ/4毫米波谐振器

摘要

本发明公开了一种基于硅工艺的三维结构TM₀₁₀-λ/4毫米波谐振器。两个有源电路的两个输出端a、b与对应λ/4谐振器的两个开路端在硅基片层与封装层交界处进行连接，每个λ/4谐振器的两个短路端与圆柱波导谐振器在第一导电金属板上连接，通过第一导电金属板上的槽缝实现能量耦合，矩形波导装配在第一、第二导电金属板之间，矩形波导的一个矩形壁和圆柱波导外壁相交，相交的公共部分去除以实现矩形波导和圆柱波导的能量耦合。本发明适合于在基于硅工艺的封装层面上实现，无源电路与硅基片上的电源、信号线耦合小，硅基片的损耗影响小，同时能够获得比传统λ/4谐振器高出一个数量级的功率输出，因此在基于硅工艺的毫米波集成电路中具有应用价值。

主权项

1.一种基于硅工艺的三维结构TM010-λ/4毫米波谐振器，其特征在于：该谐振器由硅基片层上的两个以上有源电路(1)，封装层上与有源电路(1)相应个数的λ/4谐振器(2)，金属圆柱(3)，工作在TM010模的包括第一导电金属板(4a)、圆柱波导(4b)和第二导电金属板(4c)构成的圆柱波导谐振器(4)和用于功率输出的矩形波导(5)组成；每个有源电路(1)的两个输出端a、b与对应λ/4谐振器(2)的两个开路端在硅基片层与封装层交界处进行连接，每个λ/4谐振器(2)的两个短路端与圆柱波导谐振器(4)在第一导电金属板(4a)上连接，通过第一导电金属板(4a)上的槽缝(6)实现能量耦合，矩形波导(5)装配在第一、第二导电金属板(4a、4c)之间，矩形波导(5)的一个矩形壁和圆柱波导(4b)外壁相交，相交的公共部分去除以实现矩形波导(5)和圆柱波导(4b)的能量耦合。