[发明专利]一种优序法的GPP芯片腐蚀方法

摘要

本发明提供了一种优序法的GPP芯片腐蚀方法，它在沟槽腐蚀时采用以下步骤：顺序法和倒序法交替使用进行开沟腐蚀，将芯片按顺序分成N架；将所有芯片按沟深分档，分成M架，分别放入酸槽中开沟至要求深度，M与N相等或不等。本发明利用顺序和倒序交叉使用的优序方法，并配合以最后的分档加开步骤，有效地消除了传统开沟因采用顺序法、连续腐蚀导致腐蚀液比例变化而腐蚀能力变化，进而导致GPP产品前后生产中出现的沟槽宽度和深度的不一致的问题，使GPP沟槽在开沟腐蚀过程中保证一致的、均匀的沟槽宽度和深度，能够提高生产过程中的产品合格率并能够改善槽形，提高封装后功率产品可靠性。

主权项

1.一种优序法的GPP芯片腐蚀方法，其特征在于它在沟槽腐蚀时采用以下步骤：1).顺序法和倒序法交替使用进行开沟腐蚀：1-1).将芯片按顺序分成N架，N为大于1的自然数；1-2).将第1架芯片放入酸槽中进行第一次开沟，完毕后，取出第1架芯片，按此步骤，按顺序分别将后续各架芯片放入酸槽中进行第一次开沟，直至第N架芯片第一次开沟完毕后；1-3).将第N架芯片旋转90度，在酸槽中进行第二次开沟，完毕后，取出第N架芯片，按此步骤，按倒序分别将后续各架芯片放入酸槽中进行第二次开沟，直至第1架芯片第二次开沟完毕后；1-4).将第1架芯片继续旋转90度，在酸槽中进行第三次开沟，完毕后，取出第1架芯片，按此步骤，按顺序分别将后续各架芯片放入酸槽中进行第三次开沟，直至第N架芯片第三次开沟完毕后；1-5).将第N架芯片继续旋转90度，在酸槽中进行第四次开沟，完毕后，取出第N架芯片，按此步骤，按倒序分别将后续各架芯片放入酸槽中进行第四次开沟，直至第1架芯片第四次开沟完毕后；2).将所有芯片按沟深分档，分成M架，分别放入酸槽中开沟至要求深度，M为大于1的自然数，M与N相等或不等。