[发明专利]绝缘栅双极型晶体管集成快恢复二极管制作方法有效
| 申请号： | 200910100775.5 | 申请日： | 2009-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101640186A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 屈志军;曾祥 | 申请（专利权）人： | 无锡凤凰半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8222 | 分类号： | H01L21/8222;H01L21/329;H01L21/20;H01L21/265 |
| 代理公司： | 杭州裕阳专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 江助菊 |
| 地址： | 214000江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明一种绝缘栅双极型晶体管集成快恢复二极管制作方法，其首先在衬底表面做IGBT集电极；接着在衬底表面生长N-外延膜；在生长的N-外延膜上做IGBT正面图形；接着再进行衬底背面研磨，最后在衬底背面蒸镀金属膜。通过在衬底上长外延膜在外延膜表面上制作IGBT图形，之后进行背面研磨及蒸镀金属膜工艺，克服了现有技术背面浓p型注入激活率不高及容易发生碎片的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 集成 恢复 二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种绝缘栅双极型晶体管集成快恢复二极管制作方法，其特征在于：首先在衬底表面做IGBT集电极；接着在衬底表面生长N-外延膜；随后在生长的N-外延膜上做IGBT正面图形；接着再进行衬底背面研磨，最后在衬底背面蒸镀金属膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
