[发明专利]绝缘栅双极型晶体管无效
| 申请号： | 200910101804.X | 申请日： | 2009-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101667593A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 屈志军;曾祥 | 申请（专利权）人： | 无锡凤凰半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 杭州裕阳专利事务所（普通合伙） | 代理人： | 江助菊 |
| 地址： | 214000江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明绝缘栅双极型晶体管，其包括在N-衬底表面进行低浓度的N-离子注入形成的衬底，形成在衬底表面的栅极氧化层，淀积在栅极氧化层上的多晶硅栅极，形成在栅极氧化层与N-衬底之间的p+阱区及位于p+阱区与栅极氧化层之间的N+阱区，位于N-衬底下方的背面注入区，位于注入区下方的集电极及位于栅极氧化层上方的发射极，在栅极氧化层下方的N-型衬底上增加了一个浓P型阱区；其通过在栅极氧化层下方的N-型衬底上增加了一个浓P型阱区，实现了在不损失绝缘栅双极型晶体管通态压降的情况提高了其耐压值。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种绝缘栅双极型晶体管，其包括在N-衬底表面进行低浓度的N-离子注入形成的衬底，形成在衬底表面的栅极氧化层，淀积在栅极氧化层上的多晶硅栅极，形成在栅极氧化层与N-衬底之间的p+阱区及位于p+阱区与栅极氧化层之间的N+阱区，位于N-衬底下方的背面注入区，位于注入区下方的集电极及位于栅极氧化层上方的发射极，其特征在于：在栅极氧化层下方的N-型衬底上增加了一个浓P型阱区。
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