[发明专利]高k栅介质材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200910102013.9 | 申请日： | 2009-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN101635308A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 方泽波;陈伟 | 申请（专利权）人： | 绍兴文理学院 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/28;H01L21/283;H01L21/336 |
| 代理公司： | 绍兴市越兴专利事务所 | 代理人： | 方剑宏 |
| 地址： | 312000浙江省绍兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高k栅介质材料及其制备方法，属于半导体技术领域，尤其涉及金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的应用领域，这种高k栅介质材料为氧化铒-氧化铝(Er2O3-Al2O3，ErAlO)复合材料，采用射频磁控溅射制备方法，溅射靶为Er2O3和Al2O3混合陶瓷靶，在P型Si(100)衬底上制备得到ErAlO非晶栅介质复合氧化物薄膜，经检测，本发明的ErAlO薄膜具有良好的热稳定性、良好的平整度和低的漏电流密度，可取代SiO2成为一种新型高k栅介质材料。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高k栅介质材料，其化学组成为：(Er2O3)1-x(Al2O3)x，0＜x＜1。
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