[发明专利]一种适用于图像传感器像素阵列的光学邻近校正方法无效
申请号: | 200910102203.0 | 申请日: | 2009-09-03 |
公开(公告)号: | CN101644890A | 公开(公告)日: | 2010-02-10 |
发明(设计)人: | 林斌;严晓浪;赵立新;史峥;李杰;孟庆;薛江 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G06F17/50;H01L21/00;H04N5/335 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人: | 韩介梅 |
地址: | 310027*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种适用于图像传感器像素阵列的光学邻近校正方法,包括参数初始化,版图层次化处理,对称图形对称切分,对称图形对称化校正等步骤。本发明能够保证像素的一致性和光刻结果图形的对称性,从而保证像素阵列的性能,减小了光学邻近校正结果的数据量,并且能够明显抑制深亚微米工艺下的纹波现象和由其引起的断线和桥连、拐角圆滑、线端缩进等各种制造缺陷,缩短了生产周期,提高了CMOS图像传感器的成品率。 | ||
搜索关键词: | 一种 适用于 图像传感器 像素 阵列 光学 邻近 校正 方法 | ||
【主权项】:
1.一种适用于图像传感器像素阵列的光学邻近校正方法,其特征是包括参数初始化,版图层次化处理,对称图形对称切分,对称图形对称化校正,具体步骤如下:1)参数初始化:设定光学邻近效应校正的仿真模型,光刻掩模图形,GDSII输入,光刻掩膜图形的特征尺寸D,光刻机的基本参数,λ,NA,σ;其中:λ是光源的波长,NA是光学系统的数值孔径,σ是照明的相干系数;2)通过光学仿真模型参数和版图图形特点确定图形相互影响距离;3)版图层次化处理:将版图打平至只含最小单元。将最小版图单元的所有实例的图形环境进行比较归类,环境相同的实例归为同一个版图单元,环境不同的实例归为新的版图单元;4)对上述3)中得到的所有版图单元做光学邻近校正:a)将单元所含图形,向外扩展一段距离,该距离大小为图形相互影响距离,提取范围内所有图形得到等待光学邻近校正的图形集合;b)对a)中得到的图形集合的边进行切分,对称图形各部分相应的边按照相同的规则切分,保证对称图形的切分结果仍然对称。c)对b)中得到的切分后的多边形进行OPC迭代运算,对其中的对称图形采用对称性同步迭代运算:将对称图形分为完全相同的N个部分,N为可以得到的完全相同部分的最大数量,标记序号为1,2,3,……N,不对称图形视为N=1的对称图形;I)对序号为1的部分的某段线段计算光强,得到该线段偏移量,将该偏移量映射到其余N-1个部分的对应线段处,得到全部N段该对称位置线段的偏移量;II)对其余线段同样采用I)中的方法得到其偏移量;d)光学邻近效应校正的校正终止条件:在每次光学邻近效应校正迭代后按式(1)计算校正结果的精确度, 式中Cost是代价函数,EPE为线段位置误差函数,x为每一段上的光强评估点位置,D表示设计目标的图形轮廓,W表示实际仿真的图形轮廓,求和对输入掩模图形上的所有光强评估点进行,如果校正精度不满足预定义的要求值Cost0,则按步骤c)继续迭代,直到满足精度要求终止迭代,或达到预定的迭代次数终止迭代;e)移除光学邻近校正结果中的环境图形,即a)中向外扩展部分的图形;f)将e)中得到的该单元的光学邻近校正结果映射回对应的实例中,得到整个版图的光学邻近校正结果。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
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