[发明专利]水热法及溶剂热合法制备纳米SiO2的工艺

摘要

本发明公开了一种水热法及溶剂热合法制备纳米SiO₂的工艺，其步骤是先将压缩过滤后的空气和H₂与气化SiCl₄水解；再将得到的SiO₂聚集；然后分离HCl收集SiO₂；最后在湿热空气内将吸附在SiO₂表面的HCl除去得到最后的纳米SiO₂产品。本发明工艺在制备纳米SiO₂的过程中工序比较简单，能耗比较低，稳定高效，可使脱酸时间缩短，解决产量大时脱酸困难的问题，并且取消了通氮脱酸，使纳米SiO₂材料生产出来的纯度高，颜色纯，质量得到提高，品质得到保证。

主权项

1、一种水热法及溶剂热合法制备纳米SiO2材料的工艺，其特征在于按如下步骤进行：(1)将压缩过滤后的空气和H2送入水解容器，同时送入高温气化后的SiCl4到水解容器，SiCl4、H2和空气中的氧在水解容器内1400～1800℃环境下进行水解：SiCl4+2H2+O2—>SiO2+4HCl，反应后SiO2颗粒极细再与气体形成气溶胶；(2)将步骤(1)生成的气溶胶SiO2和HCl一起送入聚集容器，在350～450℃的环境下，SiO2相互碰撞聚集成颗粒状；(3)将步骤(2)形成的颗粒状SiO2和HCl送入旋风分离器进行分离，将颗粒状的SiO2从旋风分离器分离出来进入脱酸炉；(4)在颗粒状的SiO2进入脱酸炉的同时在脱酸炉底部通入湿热空气，湿热空气中水蒸汽的含量质量百分比为0.02～0.08％，进入流量为160M3～200M3/h，温度为350～450℃，SiO2在脱酸炉脱酸反应，将表面吸附的HCl脱去，得到纳米SiO2。