[发明专利]具有展宽频带功能的复合磁电阵列换能器无效
| 申请号： | 200910104326.8 | 申请日： | 2009-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101604927A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 文玉梅;李平 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H02N2/00 | 分类号： | H02N2/00 |
| 代理公司： | 重庆市恒信知识产权代理有限公司 | 代理人： | 侯懋琪 |
| 地址： | 400044重*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有展宽频带功能的复合磁电阵列换能器，它由基板、反射栅、正向MUDT、反向MUDT、PUDT组成；正向MUDT和反向MUDT均为多个且正向MUDT数量大于反向MUDT数量；反射栅、正向MUDT、PUDT按“反射栅—正向MUDT阵列—PUDT—反射栅”的顺序从左至右横向排列在基板上；在正向MUDT之间和/或正向MUDT与PUDT之间的位置间插设置有反向MUDT；从左至右顺次相邻的正向MUDT和反向MUDT形成MRUDT单元；各个器件间绝缘。本发明的有益技术效果是：提高单位体积换能器的换能效率，并通过叠加提高换能器输出，形成宽频带输出。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 展宽 频带 功能 复合 磁电 阵列 换能器 | ||
【主权项】：
1、一种具有展宽频带功能的复合磁电阵列换能器，其特征在于：它由基板(1)、反射栅(2)、正向MUDT(3)、反向MUDT(4)、PUDT(5)组成；正向MUDT(3)和反向MUDT(4)均为多个且正向MUDT(3)数量大于反向MUDT(4)数量；其中，反射栅(2)、正向MUDT(3)、PUDT(5)按“反射栅(2)-正向MUDT(3)阵列-PUDT(5)-反射栅(2)”的顺序从左至右横向排列在基板(1)上；在正向MUDT(3)之间和/或正向MUDT(3)与PUDT(5)之间的位置间插设置有反向MUDT(4)；从左至右顺次相邻的正向MUDT(3)和反向MUDT(4)形成MRUDT单元；各个器件间绝缘。
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