[发明专利]通过氟、氮、硼离子注入形成超浅结的方法无效
| 申请号： | 200910104541.8 | 申请日： | 2009-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN101625969A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 王学毅;张扬波;张正元;谭开洲 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400060重*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通过氟、氮、硼离子注入形成超浅结的制作方法，包括：1)对硅衬底进行氟离子注入；2)对所述硅衬底进行氮离子注入；3)对所述硅衬底进行硼离子注入；4)对所述硅衬底进行氮气退火。本发明通过采用氟、氮、硼混合注入的技术，利用氟元素、氮元素的共同作用来抑制硼扩散，提升对于硼扩散的抑制效果，从而实现硼掺杂的超浅结。本发明方法操作简单，离子注入后，在普通快速退火炉中就能实现超浅结的制作，消除了对较高的快速退火设备的依赖。它广泛应用于半导体制造技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 离子 注入 形成 超浅结 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通过氟、氮、硼离子注入形成超浅结的方法，其特征在于，该方法步骤包括：1)对硅衬底进行氟离子注入；2)对所述硅衬底进行氮离子注入；3)对所述硅衬底进行硼离子注入；4)对所述硅衬底进行氮气退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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