[发明专利]一种CdS薄膜的制备方法有效
申请号: | 200910105671.3 | 申请日: | 2009-02-27 |
公开(公告)号: | CN101820018A | 公开(公告)日: | 2010-09-01 |
发明(设计)人: | 蔡志炬;曹文玉;周勇 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/042 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518118 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种CdS薄膜的制备方法,其涉及太阳能电池技术领域。该方法包括:第一步,制备蒸发源:将源材料和CdCl2加入到分散剂中制成浆料,将所述浆料涂敷在蒸发容器的表面,烘干形成源材料涂层;第二步,近空间升华:在真空条件下,在保护气气氛下,加热蒸发容器,使涂层蒸发,在衬底上沉积成膜;第三步,退火:在沉积完成后,在退火温度下,对其恒温保持10-40min。该方法直接在沉积完成后保温一段时间即可达到退火的目的,减少了对设备的要求和节省了工序。而且能大幅度提高源材料的利用率;还有该方法在制备大面积的CdS薄膜时,其膜厚分布均匀。 | ||
搜索关键词: | 一种 cds 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种CdS薄膜的制备方法,其包括:a、制备蒸发源:将源材料和CdCl2加入到分散剂中制成浆料,将所述浆料涂敷在蒸发容器的表面,烘干形成源材料涂层;b、近空间升华:在10-3-103Pa下,在保护气保护下,加热蒸发容器,使涂层蒸发,在衬底上沉积成膜;c、退火:在沉积完成后,在退火温度下,对其恒温保持10-40min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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