[发明专利]一种CdS薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 200910105671.3 申请日: 2009-02-27
公开(公告)号: CN101820018A 公开(公告)日: 2010-09-01
发明(设计)人: 蔡志炬;曹文玉;周勇 申请(专利权)人: 比亚迪股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/042
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518118 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种CdS薄膜的制备方法,其涉及太阳能电池技术领域。该方法包括:第一步,制备蒸发源:将源材料和CdCl2加入到分散剂中制成浆料,将所述浆料涂敷在蒸发容器的表面,烘干形成源材料涂层;第二步,近空间升华:在真空条件下,在保护气气氛下,加热蒸发容器,使涂层蒸发,在衬底上沉积成膜;第三步,退火:在沉积完成后,在退火温度下,对其恒温保持10-40min。该方法直接在沉积完成后保温一段时间即可达到退火的目的,减少了对设备的要求和节省了工序。而且能大幅度提高源材料的利用率;还有该方法在制备大面积的CdS薄膜时,其膜厚分布均匀。
搜索关键词: 一种 cds 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种CdS薄膜的制备方法,其包括:a、制备蒸发源:将源材料和CdCl2加入到分散剂中制成浆料,将所述浆料涂敷在蒸发容器的表面,烘干形成源材料涂层;b、近空间升华:在10-3-103Pa下,在保护气保护下,加热蒸发容器,使涂层蒸发,在衬底上沉积成膜;c、退火:在沉积完成后,在退火温度下,对其恒温保持10-40min。
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