[发明专利]一种发光二极管的制备方法有效
| 申请号： | 200910105809.X | 申请日： | 2009-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101820036A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 李群庆;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;B82B1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，在该基底的表面依次形成一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层；提供一碳纳米管结构，将碳纳米管结构直接铺设在所述第二半导体层的表面，形成一碳纳米管透明导电膜；形成一保护层，覆盖所述碳纳米管结构；除去保护层的第一区域，以暴露出部分碳纳米管结构；在暴露出的碳纳米管结构的表面制备一第一电极；除去保护层的第二区域以及该第二区域以下的碳纳米管结构、第二半导体层和活性层相应部分，以暴露出部分第一半导体层；和在所述暴露出的第一半导体层的表面制备一第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，在该基底的表面依次形成一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层；提供一碳纳米管结构，将碳纳米管结构直接铺设在所述第二半导体层的表面，形成一碳纳米管透明导电膜；形成一保护层，覆盖所述碳纳米管结构；除去保护层的第一区域，以暴露出部分碳纳米管结构；在暴露出的碳纳米管结构的表面制备一第一电极；除去保护层的第二区域以及该第二区域以下的碳纳米管结构、第二半导体层及活性层相应部分，以暴露出部分第一半导体层；及在所述暴露出的第一半导体层的表面制备一第二电极。
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