[发明专利]一种分立发光二极管的外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 200910107169.6 | 申请日： | 2009-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101877377A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 苏喜林;胡红坡;谢春林;张旺;王强 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体发光领域，提供一种分立发光二极管的外延片及其制造方法。一种分立发光二极管的外延片包括在衬底和外延层之间形成的网格导电层，所述网格导电层具有第二网状结构和在第二网状结构网格中形成用于引出电极的第一网状结构，所述外延层是分立排布在第二网状结构网格中。所述外延片的制造方法包括在暴露于网格导电层之外的衬底上生长一外延层，所述网格导电层是通过光刻工艺得到的。光刻工艺中的光刻胶层具有第二网状结构和分布于第二网状结构网格中的第一网状结构。本发明的分立发光二极管的外延片通过网格导电层可以实现电流垂直于外延层均匀分布，还可以提高晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分立 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种分立发光二极管的外延片，包括：衬底、外延层，所述外延层为依次形成在衬底表面之上的第一类型半导体层、发光层、第二类型半导体层，其特征在于，在衬底和第一类型半导体层之间还形成有网格导电层，所述网格导电层具有第二网状结构和在第二网状结构网格中形成的用于引出电极的第一网状结构，所述外延层是分立排布在第二网状结构网格中。
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