[发明专利]主动元件阵列基板的制造方法有效
申请号: | 200910107604.5 | 申请日: | 2009-05-21 |
公开(公告)号: | CN101562152A | 公开(公告)日: | 2009-10-21 |
发明(设计)人: | 黄贵伟;施媚莎 | 申请(专利权)人: | 深圳华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L21/311;H01L21/02;H01L21/768;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518000广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明适用于显示面板技术领域,提供了一种主动元件阵列基板的制造方法。首先,在基板上形成闸极、电容电极、第一绝缘层、通道层、源极与汲极。然后,在基板上全面地形成第二绝缘层,且在基板上形成图案化光阻层。之后,以图案化光阻层为罩幕,移除位于汲极上方及电容电极上方的第二绝缘层以形成接触窗及开口。接触窗暴露出汲极,而开口暴露出位于电容电极上方的第一绝缘层。接着,在基板上形成像素电极,且像素电极透过接触窗电性连接汲极并填入开口中。像素电极、电容电极及位于像素电极与电容电极之间的第一绝缘层构成储存电容。在本发明中,主动元件阵列基板的制造方法具有良好的制程良率,可以避免过度蚀刻或是蚀刻不足的现象发生。 | ||
搜索关键词: | 主动 元件 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种主动元件阵列基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括下述步骤:在一基板上形成一闸极及一电容电极;在所述基板上形成一第一绝缘层覆盖所述闸极及所述电容电极;在所述闸极上方的所述第一绝缘层上形成一通道层;在所述通道层上形成一源极与一汲极,且所述源极与所述汲极分别位于所述闸极的两侧;在所述基板上全面地形成一第二绝缘层;在所述基板上形成一图案化光阻层;在一制程时间内,以所述图案化光阻层为罩幕移除位于所述汲极上方及所述电容电极上方的所述第二绝缘层以形成一接触窗及一开口,其中所述接触窗暴露出所述汲极,所述开口暴露出位于所述电容电极上方的所述第一绝缘层;以及在所述基板上形成一像素电极,所述像素电极透过所述接触窗电性连接所述汲极并填入所述开口中,其中,所述像素电极、所述电容电极及位于所述像素电极与所述电容电极之间的所述第一绝缘层构成一储存电容。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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