[发明专利]一种锗掺杂的AZO靶材及其制备方法无效
| 申请号： | 200910108039.4 | 申请日： | 2009-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN101575207A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 胡茂横;王会文;张珂 | 申请（专利权）人： | 中国南玻集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/622;C23C14/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 何 平;朱晓江 |
| 地址： | 518047广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种锗掺杂的AZO靶材，该靶材中含有重量百分比为1-10％的氧化铝、0.1-5％的氧化锗，以及余量的氧化锌。本发明还提供了该锗掺杂的AZO靶材的制备方法，包含步骤：S1，按事先确定好的比例分别称取原料氧化锌、氧化铝、氧化锗粉末，加入粘结剂，加水混合均匀；S2，将混合物干燥后，将粉末进行压制成型，形成预先确定的形状和强度的坯体；S3，将坯体在常压和常气氛下在进行烧结，烧结温度为1200-1600℃。采用本发明所提供的靶材制得的透明导电膜具有透光率高、电阻率低，薄膜附着力好，致密完整，稳定性好等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 azo 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种锗掺杂的AZO靶材，其特征在于，该靶材中含有重量百分比为1-10％的氧化铝、0.1-5％的氧化锗，以及余量的氧化锌。
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