[发明专利]半灰阶掩模板半曝光区的设计方法及其制造方法

摘要

本发明提供一种半灰阶掩模板半曝光区的设计方法及其制造方法，将半灰阶掩模板的半曝光区设计形成曝光数据图，所述曝光数据图具有半曝光设计区，根据具有半透过膜层的掩模材料在所述半曝光区仅一次曝光所需的光透过量，来设计半曝光设计区的图形形状。通过控制半曝光设计区光透过量，调整半曝光区的光刻胶膜层厚度，从而使曝光后光刻胶膜层厚度明显减薄。与现有技术二次曝光、二次对位流程对比，本技术方案只需要一次曝光、一次对位，解决了普通制造方法二次对位偏差问题，简化了制造工艺流程，而且掩模板材料本身具有半透过膜层，不需要进行二次沉积半透过膜层工序，使半灰阶掩模板的制作工艺流程更加简单。

主权项

一种半灰阶掩模板半曝光区的设计方法，将半灰阶掩模板的半曝光区设计形成曝光数据图，所述曝光数据图具有半曝光设计区，根据具有半透过膜层的掩模材料在所述半曝光区仅一次曝光所需的光透过量，来设计半曝光设计区的图形形状。