[发明专利]一种太阳能电池减反射膜及其制备方法有效
| 申请号： | 200910109564.8 | 申请日： | 2009-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101989623A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 庞宏杰;胡宇宁;王胜亚;姜占锋 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0232;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于太阳能电池技术领域，具体公开了一种太阳能电池减反射膜。该反射膜包括沉积在硅片正表面的氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜的平均折射率为2.1-2.3，平均反射率为1％-10％。本发明还公开其制备方法，其包括将硅片第一次镀膜、冷却、第二次镀膜；其中镀膜包括前钝化、沉积氮化硅、后钝化。本发明所提供的减反射膜，厚度均匀、致密性、附着性好，反射率低，并可使薄膜厚度控制在50-90nm，本发明的制备方法具有沉积温度低、沉积效果好的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 减反射膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池减反射膜，其包括沉积在硅片正表面的氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜的平均折射率为2.1‑2.3，平均反射率为1％‑10％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
