[发明专利]光学临近效应修正方法无效
| 申请号： | 200910109606.8 | 申请日： | 2009-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN102063010A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 王谨恒;黄旭鑫;张雷 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体工业中的光刻技术，尤其涉及一种光学临近效应修正方法，包括：根据关键尺寸控制精度的不同，将一个版图划分为至少二个区域；对所述至少二个区域，分别按照其关键尺寸控制精度的要求进行光学临近效应修正，并且对关键尺寸控制精度相同的区域采用相同的修正精度。本发明的光学临近效应修正方法对于关键尺寸控制精度要求不同的区域，使用不同的修正精度进行修正，实现了修正精度的按需分配，既满足了光学临近效应修正的精度需求，又有效地缩短了光学临近效应修正系统的运行时间，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 临近 效应 修正 方法 | ||
【主权项】：
一种光学临近效应修正方法，包括：根据关键尺寸控制精度的不同，将一个版图划分为至少二个区域；对所述至少二个区域，分别按照其关键尺寸控制精度的要求进行光学临近效应修正，并且对关键尺寸控制精度相同的区域采用相同的修正精度。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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