[发明专利]二维设计图形曝光后形变效应补偿方法有效

专利信息
申请号: 200910109778.5 申请日: 2009-11-20
公开(公告)号: CN102073210A 公开(公告)日: 2011-05-25
发明(设计)人: 黄旭鑫;王瑾恒 申请(专利权)人: 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
主分类号: G03F1/00 分类号: G03F1/00
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 何平
地址: 214000 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种二维设计图形曝光后形变效应补偿方法,建立二维设计图形,设定需要补偿的关键尺寸边缘放置误差;在设计图形上先取一个点作为第一采样点,然后以第一采样点每隔预定间隔取采样点对设计图形进行分割;用光学接近修正术去做修正和仿真,得出这些点的边缘放置误差;建立标准光学接近修正模型,选取所采点中边缘放置误差最接近关键尺寸边缘放置误差的点作为补偿边缘放置误差的计算点。本发明省去了设计规划检查程式的修复,大大减少了时间消耗,缩短了修正周期,降低了工作量,而且提高了准确性。
搜索关键词: 二维 设计 图形 曝光 形变 效应 补偿 方法
【主权项】:
一种二维设计图形曝光后严重形变效应补偿方法,包括如下步骤:建立二维设计图形,设定需要补偿的关键尺寸边缘放置误差;在设计图形上先取一个点作为第一采样点,然后以第一采样点每隔预定间隔取采样点对设计图形进行分割;用光学接近修正术进行修正和仿真,得出所述采样点的边缘放置误差;建立标准光学接近修正模型,选取所述采样点中边缘放置误差最接近关键尺寸边缘放置误差的采样点作为补偿边缘放置误差的计算点。
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