[发明专利]二维设计图形曝光后形变效应补偿方法有效
申请号: | 200910109778.5 | 申请日: | 2009-11-20 |
公开(公告)号: | CN102073210A | 公开(公告)日: | 2011-05-25 |
发明(设计)人: | 黄旭鑫;王瑾恒 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
地址: | 214000 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种二维设计图形曝光后形变效应补偿方法,建立二维设计图形,设定需要补偿的关键尺寸边缘放置误差;在设计图形上先取一个点作为第一采样点,然后以第一采样点每隔预定间隔取采样点对设计图形进行分割;用光学接近修正术去做修正和仿真,得出这些点的边缘放置误差;建立标准光学接近修正模型,选取所采点中边缘放置误差最接近关键尺寸边缘放置误差的点作为补偿边缘放置误差的计算点。本发明省去了设计规划检查程式的修复,大大减少了时间消耗,缩短了修正周期,降低了工作量,而且提高了准确性。 | ||
搜索关键词: | 二维 设计 图形 曝光 形变 效应 补偿 方法 | ||
【主权项】:
一种二维设计图形曝光后严重形变效应补偿方法,包括如下步骤:建立二维设计图形,设定需要补偿的关键尺寸边缘放置误差;在设计图形上先取一个点作为第一采样点,然后以第一采样点每隔预定间隔取采样点对设计图形进行分割;用光学接近修正术进行修正和仿真,得出所述采样点的边缘放置误差;建立标准光学接近修正模型,选取所述采样点中边缘放置误差最接近关键尺寸边缘放置误差的采样点作为补偿边缘放置误差的计算点。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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