[发明专利]氮化物分布布拉格反射镜及其制备方法无效
| 申请号： | 200910110946.2 | 申请日： | 2009-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN101478115A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 张保平;尚景智 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/125;H01S5/028;H01L33/00;H01L21/205 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 氮化物分布布拉格反射镜及其制备方法，涉及一种分布布拉格反射镜，尤其是涉及一种利用金属有机物化学气相沉积制备氮化镓基微腔发光二极管和垂直腔面发射激光器中氮化物DBR的技术。提供一种高质量和具有良好表面形貌的氮化物分布布拉格反射镜及其制备方法。氮化物DBR设衬底，在衬底上生长GaN缓冲层，再生长由GaN层和AlN层构成的DBR，AlN或/和GaN中掺入铟。先对蓝宝石C面衬底进行热处理，然后在H2气氛下生长GaN成核层，升温生长GaN缓冲层；再生长AlN缓冲层，随后升温使AlN层重新结晶；最后在N2气氛下重复交替生长AlN层和GaN层制备DBR，其中AlN层和GaN层中的一种或两种在生长时掺入铟。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 分布 布拉格 反射 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 氮化物分布布拉格反射镜，其特征在于设有蓝宝石衬底，在蓝宝石C面衬底表面生长GaN缓冲层，在GaN缓冲层上生长由GaN层和氮化铝层构成的分布布拉格反射镜，其中AlN或/和GaN中掺入铟。
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