[发明专利]一种无机化合物和该无机化合物作为N型掺杂物的有机半导体制成的电子器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910110996.0 | 申请日： | 2009-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN101792121A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 吴朝新;焦博;李忠良;毛桂林 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学;厦门市东林电子有限公司 |
| 主分类号： | C01B6/00 | 分类号： | C01B6/00;C01B6/04;C01B6/21;C01B6/24 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 李宁 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种无机化合物和该无机化合物作为N型掺杂物的有机半导体制成的电子器件及其制造方法。该无机化合物的结构式为AxByCz，A为第Ⅰ主族或第Ⅱ主族元素，B为第Ⅲ主族元素或第V主族元素，C为氢元素；1≤x≤2，y∈[0，1]，1≤z≤4。在有机半导体材料中掺入合适比例的该类无机化合物可以显著改善有机半导体的导电能力，提高电子器件的电气性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无机化合物 作为 掺杂 有机半导体 制成 电子器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用作有机半导体N型掺杂物的无机化合物，其特征在于：结构式为AxByCz，A为第I主族或第II主族元素，B为第III主族元素或第V主族元素，C为氢元素；1≤x≤2，y∈[0，1]，1≤z≤4。在有机半导体材料中掺入合适比例的该类无机化合物可以显著改善有机半导体的导电能力。
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