[发明专利]黄铜矿类铜铟镓的硒化物或硫化物半导体薄膜材料的制备方法无效
| 申请号： | 200910110998.X | 申请日： | 2009-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN101475315A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 吴坚;廖志宏;骆建璋 | 申请（专利权）人： | 泉州创辉光伏太阳能有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/23 | 分类号： | C03C17/23 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 362302福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 黄铜矿类铜铟镓的硒化物或硫化物半导体薄膜材料的制备方法，涉及一种半导体薄膜材料。提供一种黄铜矿类铜铟镓的硒化物或硫化物半导体薄膜材料的制备方法。用真空磁控溅射，加热蒸发或化学水浴电沉积法在钠钙玻璃Mo衬底上分步沉积Cu、In、Ga金属预制层；将N2与H2，或Ar与H2混合，得混合气体；将混合气体通入气固反应室，反应室分成两个区域，固态硒(硫)升华区保证H2/N2(或H2/Ar)气体与硒(硫)蒸气混合；热丝催化气固反应区使H2与硒(硫)蒸气反应，生成气态H2Se/Se(或H2S/S)的混合气氛，再与Cu、In、Ga金属预制层进行热反应硒化或/和硫化。 | ||
| 搜索关键词： | 黄铜矿 类铜铟镓 硒化物 硫化物 半导体 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 黄铜矿类铜铟镓的硒化物或硫化物半导体薄膜材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)用真空磁控溅射，加热蒸发或化学水浴电沉积法在钠钙玻璃Mo衬底上分步依次沉积化学式配比量的Cu、In、Ga金属预制层；2)将惰性载源气N2与H2，或惰性载源气Ar与H2混合，得混合气体；3)将混合气体通入气固反应室，反应室分成两个区域，固态硒或硫升华区保证H2/N2或H2/Ar气体与硒或硫蒸气混合；热丝催化气固反应区使H2与硒或硫蒸气反应，生成气态H2Se/Se或H2S/S的混合气氛，再与Cu、In、Ga金属预制层进行热反应硒化或硫化，得黄铜矿类铜铟镓的硒化物或硫化物半导体薄膜材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泉州创辉光伏太阳能有限公司，未经泉州创辉光伏太阳能有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910110998.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
