[发明专利]AlN生长面复合基底的制备方法以及氮化物半导体器件

摘要

AlN生长面复合基底的制备方法以及氮化物半导体器件，涉及一种氮化物半导体材料。提供一种用于生长氮化物半导体材料的AlN生长面复合基底的制备方法及氮化物半导体器件。在衬底上生长AlN外延层，得AlN生长面复合基底。氮化物半导体器件设有AlN生长面复合基底、过渡层和氮化物半导体器件结构材料层。过渡层生长在AlN生长面复合基底上，过渡层由含Al的氮化物材料Al_xIn_yGa_(1-x-y)N(0＜x≤1，0≤y≤1)组成，氮化物半导体器件结构材料层生长在过渡层上，氮化物半导体器件结构材料层包含n型层、发光或吸收等功能结构层和p型层，其成分含有Al_xIn_yGa_(1-x-y)N(0≤x≤1，0≤y≤1)。

主权项

1. AlN生长面复合基底的制备方法，其特征在于其具体步骤为：将衬底放置于化学气相沉积装置中，在衬底上生长AlN外延层，得具有AlN生长面的AlN生长面复合基底。