[发明专利]一种半导体金属氧化物光催化剂及其制备方法和用途有效
| 申请号： | 200910111553.3 | 申请日： | 2009-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101869848A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 高水英;曹荣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | B01J31/16 | 分类号： | B01J31/16;B01J31/18;B01J31/02;B01J21/06;B01J23/30;B01J37/00;A62D3/17;A62D101/28;A62D101/26;A62D101/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体金属氧化物催化剂制备方法和用途。该催化剂采用层层自组装法，以多金属氧酸盐阴离子XW12O40n-(X＝B，Si，P，Ge)为无机阴离子，硫堇为有机阳离子，在半导体金属氧化物自组装上XW12-TH复合薄膜。该催化剂能够利用太阳光，对甲基橙和罗单明B染料分子等具有很好的光催化性能，在环保和节能方面具有潜在应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 金属 氧化物 光催化剂 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
一种半导体金属氧化物催化剂，包括半导体金属氧化物和薄膜，其特征在于：其薄膜包含杂多酸阴离子XW12O40n-(X＝B或Si或P或Ge)和硫堇复合薄膜。
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