[发明专利]一种吨级晶体生长槽磷酸二氢钾饱和溶液亚稳区宽度测量方法无效
| 申请号： | 200910111598.0 | 申请日： | 2009-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101876574A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 李国辉;苏根博;林秀钦;李征东;庄欣欣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | G01K13/00 | 分类号： | G01K13/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种吨级晶体生长槽磷酸二氢钾饱和溶液亚稳区宽度测量方法。在配料槽中，配制成饱和KDP生长溶液后，用吊晶法精确测量饱和溶液的饱和温度。饱和溶液过热恒温24小时，过滤导入装有快速生长载晶架的晶体生长槽中，载晶架上不放籽晶，生长槽外水浴温度与饱和溶液过热温度相同。载晶架的转动模式与快速生长的转动模式相同，饱和溶液的降温模式与快速生长的降温模式相同。生长溶液温度降至饱和温度时，开始观察生长槽。当观察到生长槽内出现第一颗自发结晶时，记录下温度计读数，此温度与饱和温度差即为亚稳区宽度。该方法可以精确测量大型晶体生长槽中的KDP饱和溶液的亚稳区宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 磷酸 二氢钾 饱和溶液 亚稳区 宽度 测量方法 | ||
【主权项】：
一种吨级晶体生长槽磷酸二氢钾饱和溶液亚稳区宽度测量方法，其特征在于：在配料槽中，加入KDP粉料，再加入经过密理博超纯过滤系统过滤形成的超纯水，升温、高速搅拌配制成饱和KDP生长溶液后，用吊晶法精确测量饱和溶液的饱和温度；饱和溶液过热恒温24小时，过滤导入装有快速生长载晶架的晶体生长槽中，载晶架上不放籽晶，生长槽外水浴温度与饱和溶液过热温度相同；载晶架的转动模式与快速生长的转动模式相同，饱和溶液的降温模式与快速生长的降温模式相同；生长溶液温度降至饱和温度时，开始观察生长槽；当观察到生长槽内出现第一颗自发结晶时，记录下温度计读数，此温度与饱和温度差即为亚稳区宽度。
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