[发明专利]一种氧化铝靶材和该靶材制备的透明导电薄膜无效
| 申请号： | 200910112272.X | 申请日： | 2009-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN101985735A | 公开（公告）日： | 2011-03-16 |
| 发明（设计）人： | 曹永革;邓种华;郭旺;黄常刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氧化铝靶材和该靶材制备的透明导电薄膜。采用冷等静压成型、真空高温烧结制备出高质量的氧化铝陶瓷靶，该靶纯度高于99.9％，相对密度大于99％。使用该氧化铝陶瓷靶和氧化锌靶或锌靶采用多靶共溅射技术，在多种衬底上制备AZO透明导电膜。该工艺制备的AZO透明导电膜透过率高而且铝含量和电阻率连续可调；在400～1000nm范围平均透过率大于80％，电阻率可低至3.38×10-4Ω·cm。该AZO透明导电膜可替代ITO广泛应用于太阳能电池和平板显示等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化铝 制备 透明 导电 薄膜 | ||
【主权项】：
一种氧化铝靶材和该靶材制备的透明导电薄膜，其特征在于：纯度高于99.9％，相对密度高于90％，该靶材刻蚀过程中表面光滑细腻，无结节产生，辉光放电稳定，能够用于生产高质量的AZO透明导电薄膜。
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