[发明专利]一种生长CdO纳米线束的方法

摘要

本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发生长II-VI族半导体化合物CdO纳米线束的方法，是通过以下工艺过程实现的：将CdO粉末和金属Bi粉末按摩尔比为1∶0.02-1∶0.3的比例均匀混合作为原料，置于钼片为材料制成的电阻加热舟中，并在舟上方3毫米-4厘米处放置各种衬底。密闭蒸发炉，当内置上述蒸发沉积系统的真空蒸发炉腔体达到2×10-2-5×10-3Pa的真空环境后，电阻加热舟通电流为110-180A，保持5-15分钟进行蒸发沉积。本发明制备出的氧化镉纳米棒为晶态的立方相结构的CdO。且所得的氧化镉纳米线束具有适用于多种衬底、沉积面积大、形貌较均匀的特点；本发明的方法简单，易于推广，适合大规模的工业生产。

主权项

一种催化剂辅助真空热蒸发生长CdO纳米线束的方法，其特征在于通过以下工艺过程实现：按摩尔比为1∶0.02-1∶0.3的比例将CdO粉末与金属铋粉末均匀混合后置于以钼片为材料做成的电阻加热舟中做蒸发源，将衬底置于蒸发源上方3毫米至4厘米处，密闭腔体，当包含有电阻加热舟和衬底的真空蒸发炉腔体的真空度达到2×10-2Pa-5×10-3Pa(优选10-3Pa)后，加蒸发电流，最大沉积电流为110-180A，最大电流处沉积时间为5分钟-15分钟，衬底上形成黄色或黄褐色的沉积物，即为CdO纳米线束。