[发明专利]三元系芯片型负温度系数热敏电阻器

摘要

本发明涉及一种三元系芯片型负温度系数热敏电阻器，该电阻器是由硝酸锰、硝酸镍、硝酸钴为原料，以碳酸氢铵为沉淀剂，采用液相共沉淀法制成，通过控制硝酸盐与沉淀剂碳酸氢铵的摩尔比、反应温度以及pH值，以改善沉淀颗粒的团聚现象，再经水洗和醇洗的方式将产物中的杂质洗去，得到微细、均匀的热敏电阻粉末，再经干燥、煅烧，得到分散均匀的Mn、Ni、Co混合氧化物粉体，将粉体压块成型，等静压，高温烧结，半导体切、划片得到热敏电阻芯片，再经环氧树脂封装即可得到高性能的三元系芯片型负温度系数热敏电阻器；该电阻器具有一致性好、稳定性高、可重复和可互换的特点，适用于冰箱、空调等家电领域的温度测量、控制和线路补偿。

主权项

一种三元系芯片型负温度系数热敏电阻器，其特征在于是以分析纯的硝酸锰、硝酸镍、硝酸钴为原料，以碳酸氢铵为沉淀剂，采用液相共沉淀法，将硝酸锰、硝酸镍、硝酸钴溶于离子水中，配制成混合溶液，再将碳酸氢铵加去离子水配制成沉淀剂溶液，将碳酸氢铵溶液缓慢滴加到金属硝酸盐混合溶液中，用氨水控制pH值，静置，再用去离子水及无水乙醇洗涤抽滤，烘干，研磨，热分解，再研磨，煅烧，研磨后预压成型为生坯，经冷等静压，高温烧结，半导体切、划片得到热敏电阻芯片，采用环氧树脂对芯片进行密封，即可得到三元系芯片型负温度系数热敏电阻器；其中各组分摩尔百分比为：Mn∶Ni∶Co＝30-70∶1-15∶29-55。