[发明专利]一种高电阻、低B值负温度系数热敏电阻器有效

专利信息
申请号: 200910113608.4 申请日: 2009-12-28
公开(公告)号: CN101786861A 公开(公告)日: 2010-07-28
发明(设计)人: 张惠敏;常爱民;王伟 申请(专利权)人: 中国科学院新疆理化技术研究所
主分类号: C04B35/01 分类号: C04B35/01;H01C7/04;H01C17/00
代理公司: 乌鲁木齐中科新兴专利事务所 65106 代理人: 张莉
地址: 830011 新疆维吾尔*** 国省代码: 新疆;65
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摘要: 发明涉及一种高电阻、低B值负温度系数热敏电阻器,该电阻是由原料镧、铬、铝、硅的氧化物和原料锰、镍、铬、锆的氧化物分别进行研磨,煅烧,制得颗粒大小均匀,分散性好的单一相材料,再经双相混合,研磨,高温烧结,封装,即可得到高电阻、低B值负温度系数热敏电阻器,其参数为R0℃=12kΩ±2%,B值为2050K±3%。本发明具有制备工艺简单,操作方便和质量稳定的优点,可在较宽温区内进行测温、控温及线路补偿,与共沉淀法相比大大降低了元件的生产成本,同时节约能源、生产效率显著提高。
搜索关键词: 一种 电阻 温度 系数 热敏 电阻器
【主权项】:
一种高电阻、低B值负温度系数热敏电阻器,其特征在于该电阻是由原料镧、铬、铝、硅的氧化物,各组分原子比为:La∶Cr∶Al∶Si=0.6-1.0∶1.1-0.4∶0.1-0.3∶0.2-0.3和原料锰、镍、铬、锆的氧化物,各组分原子比为:Mn∶Ni∶Cr∶Zr=2.2-2.7∶0.05-0.15∶0.06-0.1∶0.05-0.69,分别进行研磨,煅烧,制得颗粒大小均匀,分散性好的单一相材料,再经双相混合,研磨,高温烧结,封装,即可得到高电阻、低B值负温度系数热敏电阻器。
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