[发明专利]MOCVD设备内石墨基座的清洗方法有效
| 申请号： | 200910114915.4 | 申请日： | 2009-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101502835A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 刘军林;江风益;郑锐华 | 申请（专利权）人： | 晶能光电（江西）有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;B08B1/00;C23C16/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330029江西省南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOCVD设备内石墨基座的清洗方法，该方法用来清洗MOCVD设备的石墨基座，通过该方法可以彻底的将石墨基座清洗干净，特别是石墨基座表面的小坑内的附着物，而不破坏石墨基座的结构，从而起到延长石墨基座的使用寿命和提高MOCVD设备产能的作用。该方法包括以下步骤：煮酸：将石墨基座放入磷酸中煮，至石墨基座表面上的附着物被去除干净后取出，其中，所述煮酸步骤还包括刷去石墨基座表面的附着物；冲水：用热去离子水清洗煮好的石墨基座，去除石墨基座上的酸性物质；干燥：干燥石墨基座，至石墨基座上无水份，其中，所述干燥步骤包括用烘烤方式干燥石墨基座。本发明采用的是一种湿法处理的方式。 | ||
| 搜索关键词： | mocvd 设备 石墨 基座 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1、一种MOCVD设备内石墨基座的清洗方法，其特征在于包括以下步骤：煮酸：将石墨基座放入磷酸中煮，至石墨基座表面上的附着物被去除干净后取出，其中，所述煮酸步骤还包括刷去石墨基座表面的附着物；冲水：用热去离子水清洗煮好的石墨基座，去除石墨基座上的酸性物质；干燥：干燥石墨基座，至石墨基座上无水份，其中，所述干燥步骤包括用烘烤方式干燥石墨基座。
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