[发明专利]一片硅片制造一个以上太阳电池的方法无效
申请号: | 200910115469.9 | 申请日: | 2009-06-02 |
公开(公告)号: | CN101908578A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 赵世杰;包诞文 | 申请(专利权)人: | 江西天能电力股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 338000*** | 国省代码: | 江西;36 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种一片硅片制造一个以上太阳电池的方法,其特征在于,将一个以上太阳电池集合布置到一片硅片上,经过常规太阳电池加工工序后,再用激光将集合布置在该硅片上的太阳电池割成一个以上对应的单个太阳电池。它的效果在于:1、可提高制造太阳电池的生产效率;2、可充分利用生产中产生的蹦边缺角或局部有缺陷硅片,可为企业降低生产成本,提高产品竞争力。 | ||
搜索关键词: | 一片 硅片 制造 一个 以上 太阳电池 方法 | ||
【主权项】:
一种一片硅片制造一个以上太阳电池的方法,包括将一硅片经过清洗制绒 高温磷扩散 等离子体刻蚀 除去磷硅玻璃 PECVD镀膜工序处理,其特征在于还包括:(1)、用丝网印刷的方法将一个以上的太阳电池背电极图案的银铝浆(或银浆)印制在前述硅片扩散层的背面,然后在温度200 300℃的条件下烘干;(2)、用丝网印刷的方法将一个以上与前述背电极图案相对应的太阳电池背电场图案的铝浆印制在前述硅片扩散层的背面,背电场图案必须与前述背电极图案相连而且暴露出大部分背电极图案,然后在温度200 300℃的条件下烘干;(3)、用丝网印刷的方法将一个以上与前述背电极图案相对应的太阳电池正电极图案的银浆印制在硅片扩散层的正面,然后在温度200 300℃的条件下烘干;(4)、将印刷好上述三种图案的前述硅片在750 940℃条件下快速烧结(时间为1至3秒)。(5)、将烧结后冷却至常温的前述硅片,用激光按照前述硅片上的图案切割成一个以上对应的单个太阳电池。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西天能电力股份有限公司,未经江西天能电力股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910115469.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的