[发明专利]一片硅片制造一个以上太阳电池的方法无效

专利信息
申请号: 200910115469.9 申请日: 2009-06-02
公开(公告)号: CN101908578A 公开(公告)日: 2010-12-08
发明(设计)人: 赵世杰;包诞文 申请(专利权)人: 江西天能电力股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 338000*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明提供一种一片硅片制造一个以上太阳电池的方法,其特征在于,将一个以上太阳电池集合布置到一片硅片上,经过常规太阳电池加工工序后,再用激光将集合布置在该硅片上的太阳电池割成一个以上对应的单个太阳电池。它的效果在于:1、可提高制造太阳电池的生产效率;2、可充分利用生产中产生的蹦边缺角或局部有缺陷硅片,可为企业降低生产成本,提高产品竞争力。
搜索关键词: 一片 硅片 制造 一个 以上 太阳电池 方法
【主权项】:
一种一片硅片制造一个以上太阳电池的方法,包括将一硅片经过清洗制绒 高温磷扩散 等离子体刻蚀 除去磷硅玻璃 PECVD镀膜工序处理,其特征在于还包括:(1)、用丝网印刷的方法将一个以上的太阳电池背电极图案的银铝浆(或银浆)印制在前述硅片扩散层的背面,然后在温度200 300℃的条件下烘干;(2)、用丝网印刷的方法将一个以上与前述背电极图案相对应的太阳电池背电场图案的铝浆印制在前述硅片扩散层的背面,背电场图案必须与前述背电极图案相连而且暴露出大部分背电极图案,然后在温度200 300℃的条件下烘干;(3)、用丝网印刷的方法将一个以上与前述背电极图案相对应的太阳电池正电极图案的银浆印制在硅片扩散层的正面,然后在温度200 300℃的条件下烘干;(4)、将印刷好上述三种图案的前述硅片在750 940℃条件下快速烧结(时间为1至3秒)。(5)、将烧结后冷却至常温的前述硅片,用激光按照前述硅片上的图案切割成一个以上对应的单个太阳电池。
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