[发明专利]离子回旋氧等离子体清除磁约束装置中第一壁氢滞留的方法无效
| 申请号： | 200910116592.2 | 申请日： | 2009-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101533679A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 胡建生;李建刚;赵燕平;王小明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院等离子体物理研究所 |
| 主分类号： | G21B1/25 | 分类号： | G21B1/25;G21B1/13;H05H1/24 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230011安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子回旋氧等离子体清除磁约束装置中第一壁氢滞留的方法，根据磁约束装置内碳和氢共同沉积的特点，使用等离子体辅助化学清除方法，在HT-7超导托卡马克和与ITER相似位型的EAST装置上，纵向磁场保持在1.5-2.0T的情况下，在壁温为400～470K的情况下，采用离子回旋等离子体技术，采用与碳和氢都易于发生化学反应的氧气，形成离子回旋氧等离子体，实现第一壁碳氢再沉积层的清除，从而有效地清除滞留在装置第一壁上的氢滞留。该种技术是一个独特和有效的技术方法，为清除第一壁再沉积层、降低装置内氢滞留，降低粒子再循环，为核聚变装置高效运行创造很好的壁条件，为未来核聚变装置减少放射性氚在第一壁滞留导致的安全和环境问题。同时这种对第一壁的处理可在纵场线圈不退磁的情况下进行，是更适合于今后国际热核聚变实验堆ITER及未来聚变反应堆的一种对第一壁的处理模式。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 回旋 等离子体 清除 约束 装置 第一 滞留 方法 | ||
【主权项】：
1、离子回旋氧等离子体清除磁约束装置中第一壁氢滞留的方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)利用等离子体辅助下氧与碳氢再沉积层发生化学反应的方法：在磁约束装置第一壁壁温为400～470K的情况下，对真空室充入氧气或者充入含10-90％氦气的氦氧混合气体，使用脉冲离子回旋波注入真空室放电激发产生氧等离子体，实现第一壁碳氢再沉积层的清除，从而有效地清除滞留在装置第一壁上的氢滞留；(2)氧等离子体对第一壁的处理结束后，向真空室通入氦或者氘气，使用脉冲离子回旋波注入真空室放电激发产生氦或者氘等离子体，对第一壁清洗，清除在第一壁滞留的氧，并采用离子回旋硼化技术抑制氧的水平，实现等离子体快速恢复。
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