[发明专利]CZ直拉法单晶炉石墨热场结构

摘要

本发明公开了一种CZ直拉法单晶炉石墨热场结构，石墨热场结构包括热屏与气体导流装置，热屏与气体导流装置上设热屏外层(3)和热屏内层(1)，热屏外层(3)与热屏内层(1)之间设有间隙。采用上述技术方案，采用斜面反射角度，使得热辐射的反射率增加；增加了热屏中下部热屏外层与内层的间隙，得以填充石墨碳毡，增加热屏的绝热效果。由20寸传统热封闭式场维持1420°的拉制条件需要每小时耗费70～75kW·h降低至60～65kW·h，节能超过10％；填充2～3层石墨碳毡增加了隔热性能，改变了单晶生长时的晶体的纵向温度梯度，拉速增加0.05mm/min，提高了设备生产产能，降低生产成本。

主权项

1、一种CZ直拉法单晶炉石墨热场结构，所述的石墨热场结构包括热屏与气体导流装置，其特征在于：所述的热屏与气体导流装置上设热屏外层(3)和热屏内层(1)，所述的热屏外层(3)与热屏内层(1)之间设有间隙。