[发明专利]一种纯硼的制备方法无效
| 申请号： | 200910117561.9 | 申请日： | 2009-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN101817537A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 喇培清;鞠倩;魏玉鹏;卢学峰 | 申请（专利权）人： | 兰州理工大学 |
| 主分类号： | C01B35/02 | 分类号： | C01B35/02 |
| 代理公司： | 兰州振华专利代理有限责任公司 62102 | 代理人： | 董斌 |
| 地址： | 730050 *** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 一种纯硼的制备方法，其步骤为：B2O3与Mg按1∶2～3的质量比，称取相应的粉末状物料，进行球磨混合8～16小时，将混合物料置于模具中并用10～60MPa的压力下压实，在其表面放上引燃剂，然后在高压釜中进行反应，在室温下用氩气吹扫高压釜排除其中的空气，等到容器温度升至180℃时再次排气，然后通入1～6MPa的氩气继续升高容器温度；当容器内温度达到260℃左右时引燃剂开始反应并释放出大量的热，从而引发反应物料间的反应，在氩气保护下随炉冷却至室温制得含硼物料，硼含量大于90～98％，粒度0.1～10μm。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纯硼的制备方法，其步骤为：B2O3与Mg按1∶2～3的质量比，称取相应的粉末状物料，进行球磨混合8～16小时，将混合物料置于模具中并用10～60MPa的压力下压实，在其表面放上引燃剂，然后在高压釜中进行反应，在室温下用氩气吹扫高压釜排除其中的空气，等到容器温度升至180℃时再次排气，然后通入1～6MPa的氩气继续升高容器温度；当容器内温度达到260℃左右时引燃剂开始反应并释放出大量的热，从而引发反应物料间的反应，在氩气保护下随炉冷却至室温制得含硼物料，硼含量大于90～98％，粒度0.1～10μm。
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