[发明专利]一种阴离子电解质膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200910117648.6 | 申请日： | 2009-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN101714638A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 史可人;姚惠琴;谷晓昱 | 申请（专利权）人： | 宁夏大学 |
| 主分类号： | H01M4/94 | 分类号： | H01M4/94;H01M4/88 |
| 代理公司： | 宁夏专利服务中心 64100 | 代理人： | 叶学军 |
| 地址： | 750021 宁夏回族*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种阴离子电解质膜，是以PVBCl为基底，通过交联反应嫁接上导电基团OH-的离子膜，其比表面积为20-300m2/g，膜中阴离子交换容量0.008-0.016mol/g，所用交联剂为N(CH3)2-(CH2)n-N(CH3)2类化合物，n＝1-6。该膜的制备方法，采用L-S成膜法，其制备步骤为：1)用酯类有机溶剂溶解聚合物PVBCL，至溶液清澈透明为止，形成铸膜液；2)铸膜液中加入数滴交联剂，摇匀放置，至充分交联；3)将已准备好的载玻片置于水平桌面上，倒出上步溶液使其流延平铺于载玻片上，让溶剂充分挥发成膜；或用提拉机成膜；或用旋转制模仪成膜；4)将膜放入KOH水溶液中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阴离子 电解 质膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阴离子电解质膜，是以PVBCl为基底，通过交联反应嫁接上导电基团OH-的离子膜，其比表面积为20-300m2/g，膜中阴离子交换容量0.008-0.01mol/g，所用交联剂为N(CH3)2-(CH2)n-N(CH3)2类化合物，n＝1-6。
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