[发明专利]光掩模设计方法以及使用光掩模制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200910118262.7 | 申请日： | 2009-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN101526735A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 川上幸也 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G06F17/50;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种光掩模设计方法以及使用光掩模制造半导体器件的方法。在设计光掩模的方法中，作为显影仿真目标的显示图案被分割成多个子显示图案，所述子显示图案被分别地指定有彼此不正交的多个正交坐标系。通过在与被指定给子显示图案的正交坐标系的坐标轴平行的方向上移动该子显示图案的边，来对该多个子显示图案中的每个执行基于模型的OPC(光学邻近修正)。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模 设计 方法 以及 使用 制造 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种设计光掩模的方法，包括：将作为显影仿真目标的显示图案分割成多个子显示图案，所述多个子显示图案分别被指定多个正交坐标系，所述多个正交坐标系彼此不正交；以及通过在与被指定给所述子显示图案的正交坐标系的坐标轴相平行的方向上移动所述子显示图案的各边，来对所述多个子显示图案中的每个执行基于模型的OPC(光学邻近修正)。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
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