[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200910118292.8 | 申请日： | 2009-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN101626001A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 鹿野武敏 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 闫小龙;李家麟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置具有半导体芯片(13f)。导电部(11f)设置在主面(MS)上，并且有具有导电性和延展性的材料构成。密封树脂部(15)具有与主面(MS)正对的表面(SF)。电极(12fu)设置在导电部(11f)上，并且在导电部(11f)和表面(SF)之间贯通密封树脂部(15)。由此，提供一种能够小型化的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：具有主面的半导体芯片；设置在所述主面上，并且由具有导电性和延展性的材料构成的导电部；具有与主面正对的表面的密封树脂部；以及设置在所述导电部上，并且在所述导电部和所述表面之间贯通所述密封树脂部的电极。
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