[发明专利]在结构的电化学制造期间保持层的平行度和/或实现所期望层厚度的方法和装置无效
申请号: | 200910118608.3 | 申请日: | 2005-01-03 |
公开(公告)号: | CN101515549A | 公开(公告)日: | 2009-08-26 |
发明(设计)人: | A·H·库马尔;A·L·科恩;M·S·洛卡德 | 申请(专利权)人: | 微制造公司 |
主分类号: | H01L21/4763 | 分类号: | H01L21/4763;H01L21/288;H01L21/304;H01L21/463;C25D5/02;B24B53/00 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程 伟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的一些实施例提供了用于电化学制造多层结构(98)(例如中尺寸或微尺寸结构)的工艺和装置,对于在电化学制造工艺期间平坦化的材料(如层)具有改进的终点检测和平行度保持。一些方法包括在平坦化期间使用固定设备,其确保了材料的平坦化平面在给定的容差之内平行于其它层。一些方法包括使用终点检测固定设备(292、294、296、298),其确保了沉积材料相对于衬底(82)的初始表面、相对于第一沉积的层或相对于在制造工艺期间形成的其它层的精确高度。在一些实施例中,可通过精研进行平坦化,而其它实施例可使用金刚石飞刀切削机器(408)。 | ||
搜索关键词: | 结构 电化学 制造 期间 保持 平行 实现 期望 厚度 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种用于形成多层三维结构的制造工艺,包括:(a)形成并粘附材料层至事先形成的层和/或衬底,其中该层包括希望图案的至少一种材料;(b)对该至少一种材料进行平坦化操作,包括:(i)经由多孔真空吸盘将衬底安装到精研固定设备;(ii)当将衬底安装到固定设备上时,对沉积的材料进行精研操作以平坦化材料表面并使得沉积材料的高度达到希望值;(c)重复操作(a)的形成及粘附一次或多次,以由多个粘附的层形成三维结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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