[发明专利]氧化锌薄膜的热处理方法以及太阳能电池的制造方法无效
| 申请号： | 200910118836.0 | 申请日： | 2009-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN101527265A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 明承烨 | 申请（专利权）人： | 韩国铁钢株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L31/18;H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 葛 强;邬 玥 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的氧化锌薄膜的热处理方法以及太阳能电池的制造方法，包括：将形成有氧化锌薄膜的基板装载在室内的阶段；向上述室内流入氢气的阶段；固定上述室内压力的阶段以及在上述室内利用上述氢气对氧化锌薄膜进行热处理的阶段。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化锌 薄膜 热处理 方法 以及 太阳能电池 制造 | ||
【主权项】：
1、一种氧化锌薄膜的热处理方法，包括：将形成有氧化锌薄膜的基板装载在室内的阶段；向上述室内流入氢气的阶段；固定上述室内压力的阶段；在上述室内利用上述氢气对氧化锌薄膜进行热处理的阶段。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于韩国铁钢株式会社，未经韩国铁钢株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910118836.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
