[发明专利]在SIN和TIN之间引入金属层以改善P-TSV的CBD接触电阻无效
| 申请号： | 200910119004.0 | 申请日： | 2009-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN101673719A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 许国经;陈承先;苏竟典;黄宏麟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 | 代理人： | 马佑平 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成电路。该集成电路包括：配置在半导体衬底中的穿透硅通孔(TSV)沟槽；形成在所述半导体衬底上的导电焊点，所述导电焊点与所述TSV沟槽邻接；设置在所述导电焊点上的和TSV沟槽内的氮化硅层；设置在所述氮化硅层上的钛层；设置在所述钛层上的氮化钛层；和设置在所述氮化钛层上的铜层。 | ||
| 搜索关键词： | sin tin 之间 引入 金属 改善 tsv cbd 接触 电阻 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：配置在半导体衬底中的穿透硅通孔(TSV)；形成在所述半导体衬底上的导电焊点，所述导电焊点与所述TSV沟槽邻接；设置在所述导电焊点上且在所述TSV沟槽内的氮化硅层；设置在所述氮化硅层上的钛层；设置在所述钛层上的氮化钛层；和设置在所述氮化钛层上的铜层。
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