[发明专利]1.02-1.08微米波段InGaAs/GaAs量子点外延结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200910119057.2 | 申请日： | 2005-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101505034A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 于理科;徐波;王占国;金鹏;赵昶;张秀兰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种1.02-1.08微米波段InGaAs/GaAs量子点外延结构，以及实现这一外延结构的分子束大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法。通过精确控制分子束外延生长条件-用单原子层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等，可以实现室温PL谱1.02-1.08微米波段发光，并且具有很高的发光效率。将其应用于光纤激光器的泵浦源，极大的缩小器件的体积和制作成本，并且保持了作为量子点激光器的优良性能指标，如：降低其激光器的阈值电流，减小功耗，增强温度稳定性等。 | ||
| 搜索关键词： | 1.02 1.08 微米 波段 ingaas gaas 量子 外延 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种1.02-1.08微米波段InGaAs/GaAs量子点激光器材料外延层结构，其特征在于，由以下结构组成：第一层为GaAs过渡层；第二层为Al0.5Ga0.5As波导层；第三层为AlGaAs过渡层，Al的组分从50％-10％线性减小；第四层为GaAs过渡层；第五层为InGaAs量子点材料层；第六层为GaAs过渡层；第七层为AlGaAs过渡层，Al的组分从10％-50％线性增加；第八层为Al0.5Ga0.5As波导层；第九层为GaAs覆盖层。
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