[发明专利]无气泡的封装方法有效
| 申请号： | 200910119565.0 | 申请日： | 2009-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN101840872A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 范士冈;许青翔;邱诚朴;莫启能;江美昭 | 申请（专利权）人： | 华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/50;H01L21/48;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 孙长龙 |
| 地址： | 215217 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种无气泡的封装方法，适用于一显示组件的封装。首先，提供一第一基板及一第一保护层，其中第一保护层是形成于该第一基板的一表面上。此外，提供一第二基板及一第二保护层，其中第二保护层是形成于该第二基板的一表面上。接着，针对第一保护层与第二保护层的表面施行一等离子体处理。之后，将等离子体处理过后的第一基板与第二基板浸泡于一水溶液中。于水溶液中，将第一基板与第二基板进行一压合处理，压合时第一保护层与第二保护层互相面对。最后，将压合后的第一基板与第二基板自溶液内取出。 | ||
| 搜索关键词： | 气泡 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种无气泡的封装方法，适用于一显示组件的封装，包括：提供一第一基板及一第一保护层，该第一保护层是形成于该第一基板的一表面上，且该第一保护层全面覆盖于该表面上且具有至少一凹刻图案；提供一第二基板及一第二保护层，该第二保护层是形成于该第二基板的一表面上；针对该第一保护层与该第二保护层的表面施行一等离子体处理；将等离子体处理过后的该第一基板与该第二基板浸泡于一水溶液中；于该水溶液中，将该第一基板与该第二基板进行一压合处理，压合时该第一保护层与该第二保护层互相面对；以及将压合后的该第一基板与该第二基板自容器内取出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
