[发明专利]薄膜光伏电池及其制造方法以及薄膜光电模块无效
| 申请号： | 200910119895.X | 申请日： | 2009-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101552305A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 明承烨 | 申请（专利权）人： | 韩国铁钢株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/048;H01L51/48;H01L51/42;H01L51/44 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 葛 强;邬 玥 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜光伏电池及其制造方法以及薄膜光电模块，该薄膜光伏电池的制造方法包括：在透明基板上层压透明电极的阶段；在上述透明电极上层压光电层的阶段；在上述光电层上层压金属电极层的阶段；在上述金属电极层上层压由防水材料构成的缓冲层的阶段。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电池 及其 制造 方法 以及 光电 模块 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜光伏电池的制造方法，包括：在透明基板上层压透明电极的阶段；在上述透明电极上层压光电层的阶段；在上述光电层上层压金属电极层的阶段；在上述金属电极层上层压由防水材料构成的缓冲层的阶段。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
