[发明专利]半导体光元件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体光元件的制造方法，该方法可以通过简单的步骤防止波导脊顶部的半导体层和电极的接触面积的减少，并可以防止波导脊顶部的半导体层因蚀刻而受到损伤。该方法包括如下步骤：以抗蚀剂作为掩模对第二半导体层进行蚀刻，直至蚀刻到第二半导体层中途，从而形成在底部残留有第二半导体层的凹部以及与该凹部相邻的波导脊；在残留有抗蚀剂的状态下，在波导脊和凹部上形成绝缘膜；利用形成在抗蚀剂上的绝缘膜和形成在凹部上的绝缘膜的蚀刻速度的不同，除去形成在抗蚀剂上的绝缘膜使抗蚀剂露出，但同时保留形成在凹部上的绝缘膜；除去露出的抗蚀剂；除去抗蚀剂之后，在波导脊顶部形成电极。

主权项

1.半导体光元件的制造方法，其特征在于，具有如下步骤：在衬底上依次层压第一导电型的第一半导体层、活性层和第二导电型的第二半导体层；在第二半导体层上涂布抗蚀剂，并通过光刻法使所述抗蚀剂形成条纹状图形；以所述抗蚀剂作为掩模，对第二半导体层进行蚀刻，直至蚀刻到第二半导体层中途，从而形成在底部残留有所述第二半导体层的凹部以及与该凹部相邻的波导脊；在残留有所述抗蚀剂的状态下，在所述波导脊和所述凹部上形成绝缘膜；利用形成在所述抗蚀剂上的所述绝缘膜和形成在所述凹部上的所述绝缘膜的蚀刻速度的不同，除去形成在所述抗蚀剂上的所述绝缘膜，使所述抗蚀剂露出，但同时保留形成在所述凹部上的所述绝缘膜；除去露出的所述抗蚀剂；以及除去抗蚀剂之后，在波导脊顶部形成电极。