[发明专利]薄膜晶体管的多晶硅层及其显示器有效
申请号: | 200910126229.9 | 申请日: | 2002-11-27 |
公开(公告)号: | CN101494235A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
发明(设计)人: | 李基隆 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/786;G02F1/136;G09G3/36;H01L27/32 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种薄膜晶体管(TFT)的多晶硅层,包括:有源沟道区,其中,有源沟道区的长度为晶粒尺寸的整数倍。本发明还提供一种具有多个TFT的显示器,包括:具有多晶硅层的TFT,且该多晶硅层带有有源沟道区,该有源沟道区具有与其相关的至少一个主晶界,使得遍及显示器中,带相同数量有源沟道区的主晶界相比于显示器的其它多个TFT占据支配地位;其中,TFT通过调整晶粒尺寸、晶界倾角和有源沟道区尺寸等参数来制造。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 多晶 及其 显示器 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管(TFT)的多晶硅层,包括:有源沟道区,其中,有源沟道区的长度为晶粒尺寸的整数倍。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星移动显示器株式会社,未经三星移动显示器株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910126229.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类