[发明专利]半导体装置及用以制造电路的掩模的形成方法有效
| 申请号： | 200910126290.3 | 申请日： | 2009-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN101539962A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 鲁立忠;林仲德;王彦森;庄尧仁;张广兴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L27/088;H01L27/092 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及用以制造电路的掩模的形成方法，该方法包含提供一该电路的设计，其中该电路包含一装置；进行一第一逻辑运算来决定一第一区域来形成该装置的一第一元件；以及进行一第二逻辑运算来扩张该第一元件大于该第一区域而扩张至一第二区域。该第二区域的图案可用于形成该掩模。本发明实施例具有许多优异的特征。首先，当进行效能察知逻辑运算之后，可最佳化集成电路的效能结果。然而，欲达到此项效果，并不需要添加任何制造步骤及不需利用到额外的芯片区域。事实上，由于在本发明实施例中能够妥善利用芯片区域，能让芯片被设计的更小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 用以 制造 电路 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用以制造电路的掩模的形成方法，包含：提供一电路的设计，其中该电路包含一装置；进行一第一逻辑运算以决定一第一区域，该第一区域用来形成该装置的一第一元件；以及进行一第二逻辑运算以扩张该第一元件至一第二区域，该第二区域大于该第一区域。
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