[发明专利]形成穿透硅通孔的方法有效
| 申请号： | 200910126308.X | 申请日： | 2009-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101740484A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 林全益;李松柏;黄庆坤;林生元 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/60;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种形成具有穿透硅通孔(TSV)的半导体器件的方法。包括以下步骤：提供在其上形成有第一电介质层的半导体器件。在该第一电介质层上形成一个或多个电介质层，由此，每一个电介质层具有一个堆叠结构，其中一个或多个电介质层中的堆叠结构的垂直对齐。堆叠结构可能是，例如，金属环。该堆叠结构然后被去除从而形成第一凹口。由第一凹口延伸到到衬底中形成第二凹口。在第二凹口中填充导电物质从而形成TSV。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 穿透 硅通孔 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，该方法包括：提供一半导体衬底，其上形成有半导体器件；在该半导体衬底上形成第一电介质层；在第一电介质层中形成第一互连部件，该第一互连部件被电耦合到半导体器件；在第一电介质层上形成第二电介质层；在第二电介质层中形成第二互连部件；在第二电介质层中形成一堆叠结构；去除堆叠结构，从而在第二电介质层中形成第一凹口；通过把第一凹口延伸到半导体衬底的至少一部分中从而形成第二凹口；和用导电材料填充第二凹口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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