[发明专利]功率半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910126372.8 | 申请日： | 2009-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101527315A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 许鸿豹;黄金 | 申请（专利权）人： | 开益禧有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/02;H01L29/78;H01L29/739;H01L21/28;H01L21/20;H01L21/265;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;刘继富 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种功率半导体器件及其制造方法，所述器件能够在平面上沿所有方向传输栅极信号，显示出在栅极信号传输速度和阻抗上的偏差减小、击穿电压的提高以及漏极-源极导通电阻(Rds(ON))的降低。为此，该功率半导体器件包括：导电的低浓度外延层；在外延层的表面中形成至预定深度的第一导电区域，包括彼此间隔预定距离的多个线型第一导电层以及彼此间隔预定距离的多个线型第二导电层，其中第一导电层和第二导电层的相对末端相对于彼此交替布置并且彼此间隔预定距离；第二导电区域，其形成的宽度和深度比第一和第二导电层较小，以便在第一和第二导电层中形成沟道；在外延层的表面上形成栅极氧化物层，以限定具有比第一导电层更小宽度的第一窗口以及具有比第二导电层更小宽度的第二窗口；和在栅极氧化物层上形成的栅极多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件，包括：导电的低浓度外延层；在所述外延层的表面中形成至预定深度的第一导电区域，所述第一导电区域包括彼此间隔预定距离的多个线型第一导电层和彼此间隔预定距离的多个线型第二导电层，其中所述第一导电层和所述第二导电层的相对末端相对于彼此交替布置并且彼此间隔预定距离；第二导电区域，所述第二导电区域形成的宽度和深度比所述第一和第二导电层更小，以使得在所述第一和第二导电层中形成沟道；在所述外延层的表面上形成的栅极氧化物层，以限定具有比所述第一导电层更小宽度的第一窗口和具有比所述第二导电层更小宽度的第二窗口；和在所述栅极氧化物层上形成的栅极多晶硅层。
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