[发明专利]液晶显示装置有效
申请号: | 200910126641.0 | 申请日: | 2009-03-05 |
公开(公告)号: | CN101526709A | 公开(公告)日: | 2009-09-09 |
发明(设计)人: | 海东拓生;园田大介;新田秀和 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立显示器 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G09G3/36;H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种液晶显示装置。通过湿法蚀刻来加工沟道截断环层,通过干法蚀刻来加工poly-Si层。在沟道截断环层形成侧面蚀刻,由此使poly-Si层的周边部从沟道截断环层露出,将该区域用于与n+Si层接触。通过该结构能够减少TFT的导通电阻,增加导通电流。由此,能够在用于液晶显示装置的底栅型TFT中,在poly-Si层之上形成沟道截断环层,使TFT的特性稳定。 | ||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种液晶显示装置,该装置形成有:呈矩阵状形成有像素电极和薄膜晶体管的显示区域;和形成在上述显示区域的周边上的包含薄膜晶体管的驱动电路,其特征在于,上述薄膜晶体管的结构为:覆盖栅电极而形成有栅极绝缘膜,在上述栅极绝缘膜之上形成有poly-Si层,在上述poly-Si层的主面之上除了周边部而形成有沟道截断环层,n+Si层接触上述poly-Si层的主面的周边部,覆盖上述n+Si层而形成有源/漏电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立显示器,未经株式会社日立显示器许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910126641.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。