[发明专利]半导体激光器及其制造方法无效
| 申请号： | 200910126691.9 | 申请日： | 2009-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101527429A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 笹畑圭史;松本启资;青柳利隆;近藤正彦;森藤正人;百濑英毅 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社;国立大学法人大阪大学 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/12;H01S5/026;G02B6/122 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 何欣亭;王丹昕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体激光器及其制造方法。在同一衬底上形成发生光的激活部分和用于从发生的光得到激光的谐振器外周部分。衬底为InP衬底。激活部分具有由AlInAs或AlGaInAs构成的第一导电型的包层、包含由AlGaInAs或InGaAsP构成的激活层的芯层、以及由AlInAs或AlGaInAs构成的第二导电型的包层。外周部分具有将第一导电型的包层氧化的第一包层、芯层、以及将第二导电型的包层氧化的第二包层。在外周部分形成以规定周期排列多个空穴的二维光子晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器，在同一衬底上形成发生光的激活部分和用于从发生的光得到激光的谐振器外周部分，其特征在于：所述衬底为InP衬底，所述激活部分具有由AlInAs或AlGaInAs构成的下部包层、包含由AlGaInAs或InGalAsP构成的激活层的芯层、以及由AlInAs或AlGaInAs构成的上部包层，所述外周部分具有由将AlInAs或AlGaInAs氧化的物质构成的第一包层、芯层、以及由将AlInAs或AlGaInAs氧化的物质构成的第二包层，在所述外周部分形成以规定周期排列多个空穴的二维光子晶体。
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