[发明专利]聚焦测定方法和半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200910126712.7 | 申请日： | 2009-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN101498899A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 井出理美子;野田研二;福本博文;旭宪一;氏丸直彦 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供聚焦测定方法和半导体装置的制造方法，其能够正确地测定聚焦值和聚焦偏移量。利用由电子束照射引起的抗蚀剂图形的收缩量依赖于聚焦值进行变化的情况求取聚焦值。在求取聚焦值的情况下，对通过聚焦值测定对象的曝光形成的聚焦测定用抗蚀剂图形的收缩量进行测定。与该收缩量对应的聚焦值从预先取得的收缩量的聚焦依赖性求取。聚焦偏移量能够由该聚焦值和最佳聚焦值的差确定。 | ||
| 搜索关键词： | 聚焦 测定 方法 半导体 装置 制造 | ||
【主权项】：
1. 一种聚焦测定方法，其特征在于，包括：准备在曝光装置中设定的聚焦值与抗蚀剂图形的收缩量的对应关系的工序，其中，所述抗蚀剂图形的收缩量是对通过该聚焦值下的曝光在基板上形成的抗蚀剂图形的尺寸测定多次而获得的；对通过曝光装置的在设定聚焦值下的曝光在聚焦测定对象的基板上形成的所述抗蚀剂图形的尺寸进行多次测定的工序；根据所述测定结果，求取通过所述设定聚焦值下的曝光形成的所述抗蚀剂图形的收缩量的工序；和根据所述对应关系，求取与所述求得的收缩量对应的聚焦值的工序。
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